长电科技董秘回复: 两者在低端市场领域无明显差异,均可以采用传统打线设备实现堆叠和打线互联

长电科技(600584)12月01日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者:1)看到企业有布局dram、nand等内存芯片封测,这两种产品所需的封测工艺和设备的差异在哪里?其他专注于某一种产品的封测企业甚至是IC设计企业进入壁垒高吗?2)内存封测和逻辑芯片封测所需的工艺和设备又有什么差异吗?

长电科技董秘:尊敬的投资者,您好。两者在低端市场领域无明显差异,均可以采用传统打线设备实现堆叠和打线互联。在中高端领域两者设备工艺存在差异,需要使用到热压键合等特色设备。同时内存和逻辑芯片封测所需的设备,因为堆叠层数及测试要求不同,存在一定的差异。对于新进入者,在中高端存储封测市场存在明显的壁垒。感谢您的关注与支持。

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