士兰微近日接受机构调研时表示，2022年，士兰明镓已着手实施“SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。四季度，SiC芯片生产线已实现初步通线，并形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。目前公司已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，并已向客户送样。2023年，士兰明镓将加快推进SiC芯片生产线建设进度，预计2023年年底将形成月产6000片6英寸SiC芯片的生产能力。
士兰微近日接受机构调研时表示，2022年，士兰明镓已着手实施“SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。四季度，SiC芯片生产线已实现初步通线，并形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。目前公司已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，并已向客户送样。2023年，士兰明镓将加快推进SiC芯片生产线建设进度，预计2023年年底将形成月产6000片6英寸SiC芯片的生产能力。